据韩媒报道,三星电子已与中国长江存储签署了专利许可协议,将从第10代V-NAND（V10）开始，采用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术领域。团粉助手认为，三星此次选择与长江存储合作，技术层面是关键因素。3D NAND闪存向400层以上堆叠发展时，混合键合技术成为绕不开的核心。长江存储四年前就将其应用于3D NAND制造，在专利布局上领先。三星若自行研发规避，时间成本高且技术风险大，通过授权能直接引入成熟技术，加速V10研发进程，争取市场先机。
从市场角度看，团粉助手观察到三星在存储芯片市场面临激烈竞争。SK海力士等对手也在推进相关技术研发，三星采用长江存储专利，有助于提升产品性能和竞争力，巩固市场份额。并且这一合作也为三星开拓与中国企业合作的新路径，为未来在华业务发展提供潜在机遇。
对长江存储而言，这是重大突破。此前，国内半导体企业多处于技术追赶、模仿阶段。在此背景下，这次向行业巨头三星授权专利，更彰显了团粉助手了解到的长江存储的技术创新实力，也提升了中国半导体企业在全球的话语权，同时激励更多国内企业加大研发投入。
这次专利许可协议意义非凡，不仅是三星解决技术难题、提升竞争力的策略之举，更是长江存储乃至中国半导体产业崛起的有力见证。这一变化未来有望推动全球存储芯片行业技进步和格局重塑。
